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फोटोडायोड एसएमडी - 2835 एसएमडी आकारMD

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उत्पाद विशेषता...

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उत्पाद विशेषता...

मॉडल नं.: 2835PDC51

ब्रांड: सर्वश्रेष्ठ एलईडी

पैकेजिंग और डि�...
इकाइयों की बिक्री	:	Piece/Pieces
पैकेज प्रकार	:	कार्टन का डिब्बा

उत्पाद विवरण

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- आईआर रिसीवर -

२८३५पीडीसी५१

जैसा कि हम जानते हैं, सभी आईआर एलईडी (इन्फ्रारेड एलईडी) एलईडी एमिटर हैं, जो कुछ इन्फ्रारेड सिग्नल उत्सर्जित कर सकते हैं । जब आप कुछ संकेत प्राप्त करना चाहते हैं जो इससे मेल खा सके, तो आपको कुछ फोटोडायोड की आवश्यकता हो सकती है। 2835PDC51 एक SMD रिसीवर है जिसे 2835 SMD केस द्वारा पैक किया गया है। आकार 2.8*3.5*0.8mm है, जो 2835 SMD LED के साथ समान हैं। 2835 SMD फोटोडायोड में LED के तल पर हीट सिंक होता है। ताकि इस एसएमडी रिसीवर के लिए आपको गर्मी की समस्या के बारे में चिंता न करनी पड़े। हीट सिंक समय पर गर्मी को प्रेषित करेगा और आईआर रिसीवर के प्रदर्शन को सुनिश्चित करेगा।

Photodiode SMD

- Size: 3.5*2.8*0.8mm

- Chip Number: 1 chip

- Color:LED Receiver

- Type: Surface mount device

- Chip brand: Epistar

- Polarity Mark

- Different color are available

- Different wavelength are available

- Warranty: 5 Years

- RoHS, REACH, EN62471

- Uniform light output

- Long life-solid state reliability

- Low Power consumption

-Anti UV epoxy resin package

-High temperature resistance

-आयामपैरामीटर -

Receiver LED

ये एसएमडी एलईडी केस आईआर एलईडी, यूवी एलईडी, ब्लू एसएमडी एलईडी, रेड एसएमडी एलईडी, एम्बर एलईडी एक्ट के लिए भी उपलब्ध हैं।

- विद्युत पैरामीटर -

Parameter	Symbol	Rating	Unit
Power Dissipation	Pc	150	mW
Operating Temperature	Topr	-25~+85	℃
Storage Temperature	Tstg	-40~+85	℃
Soldering Temperature(1/16 inch from body for 3 seconds)	Tsol	260	℃
Service life under normal conditions	Time	80000	H
Warranty	Time	2	Years
Antistatic bag	Piece	1000	Bag

Parameter		Symbol	Min	Typ	Max	Unit	Test Condition
Forward voltage		VF	0.5		1.3	V	IF=10mA H=0
Reverse Breakdown Voltage		VBR	35			V	IR=100uA H=0
Reverse Dark Current		ID			10	uA	VR=10V H=0
Light Current		IL		80		uA	VR=5V Has 1mw/cm2
Wavelength of Peak Sensitivity		λp		940		nm
Range of Spectral Bandwidth		λ0.5	400		1000	nm
Response Time	Rise Time	tR		50		μS	VCE=5V Ic=1mA RL=1000Ω
Response Time	Fall Time	tF		50		μS	VCE=5V Ic=1mA RL=1000Ω
Half sensitivity angle		△λ		±60		deg
Junction Capacitance		CCB			12	PF	VR=3V F=1MHZ