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0.3W 850nm IR LED - 5050 3-चिप्स LED

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उत्पाद विशेषता...

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मॉडल नं.: 5050IRC-85L10I90

ब्रांड: सर्वश्रेष्ठ एलईडी

पैकेजिंग और डि�...
इकाइयों की बिक्री	:	Piece/Pieces
पैकेज प्रकार	:	कार्टन का डिब्बा
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उत्पाद विवरण

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- 5050 एसएमडी आईआर एलईडी -

5050IRC-85L10I90

850nm LED का व्यापक रूप से सीसीटीवी कैमरा, नाइट विजन कैमरा या कुछ अन्य रिमूव कंट्रोल सिस्टम और IR सुरक्षा प्रणाली में उपयोग किया जा सकता है। ये SMD LED केस 5.0*5.0mm है, जो अन्य SMD LED (2835 SMD LED, 3528 SMD LED ect।) से बड़ा है। ताकि इस 5050 एसएमडी एलईडी केस में 3 चिप्स एलईडी नंगे मरने के लिए पर्याप्त जगह हो। इस मामले में, इन 850nm अवरक्त एलईडी 3 चिप्स एलईडी को अधिक समान प्रकाश विकिरण परिणाम मिलेगा। उन उच्च शक्ति 850nm अवरक्त एलईडी के साथ तुलना करें, ये 5050 3 चिप्स 850nm एलईडी अधिक आर्थिक और ऊर्जा संरक्षण होंगे। क्या आपको SMD LED के अंदर 3 चिप्स के साथ कुछ 850nm की आवश्यकता है? अधिक विस्तार के लिए हमसे संपर्क करें!

5050 smd ir led

- Size: 5.0*5.0*1.3mm

- Chip Number: 3 chips

- Wavelength: 850nm

- Type: Surface mount device

- Chip brand: Epistar

- Polarity mark cathode

- Different color are available

- Different wavelength are available

- Warranty: 5 Years

- RoHS, REACH, EN62471

- Uniform light output

- Long life-solid state reliability

- Low Power consumption

-Anti UV epoxy resin package

-High temperature resistance

- आयाम पैरामीटर-

5050 led IR 3CHIPS

ये एसएमडी एलईडी केस आईआर एलईडी, यूवी एलईडी, ब्लू एसएमडी एलईडी, रेड एसएमडी एलईडी, एम्बर एलईडी एक्ट के लिए भी उपलब्ध हैं।

- उत्सर्जन का रंग -

- विद्युत पैरामीटर -

Parameter	Symbol	Rating
Power Dissipation	Pd	140mw
Pulse Forward Current	IFP	900mA
Forward Current	IF	90mA
Reverse Voltage	VR	5V
Junction Temperature	Tj	115°C
Operating Tempertature	Topr	-40 - +80°C
Storage Tempertature	Tstg	-40 - +100°C
Soldering Temperature	Tsol	260°C
Electro-Static-Discharge(HBM)	ESD	2000v
Warranty	Time	5Years
Antistatic bag	Piece	1000Bag
*Pulse Forward Current Condition:Duty 1% and Pulse Width=10us.
*Soldering Condition:Soldering condition must be completed with 3 seconds at 260°C

Parameter	Symbol	Min	Typ	Max	Unit	Test Condition
Forward Voltage	VF	1.3	1.4	1.6	V	IF=20mA*3
		1.4	1.5	1.8		IF=50mA*3
		1.6		2.0		IF=100mA*3
Radiant Intensity	IE		10	20	mW/sr	IF=20mA*3
		30	37	45		IF=50mA*3
			78			IF=100mA*3
Peak Wavelength	λP	840	850	860	nm	IF=20mA*3
Half Width	Dl		45		nm	IF=20mA*3
Viewing Half Angle	2q1/2		120		deg	IF=20mA*3
Reverse Current	IR			5	uA	VR=5V
*Luminous Intensity is measured by ZWL600.
*2q1/2 is the off-axis angle at which the luminous intensity is half the axial luminous intensity.
*lD is derived from the CIE chromaticity diagram and represents the single wavelength which defines the color of the device.